8英寸导电型4H-SiC衬底
8英寸导电型4H-SiC衬底

8英寸导电型4H-SiC衬底

直径：(200.0± 0.2) mm
厚度：(500 ± 25) μm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
应用方向：SiC同质外延
产品类型：抛...
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6英寸导电型4H-SiC衬底
6英寸导电型4H-SiC衬底

6英寸导电型4H-SiC衬底

直径：(150 ± 0.2) mm
厚度：(350 ± 25) μm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
应用方向：SiC同质外延
产品类型：抛...
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碳化硅籽晶
碳化硅籽晶

碳化硅籽晶

直径：200 mm 或 153 mm
厚度：500 μm 或 1.0 mm
导电类型：N型
晶面取向：(0001) 或者 偏角 0~6 度
应用方向：应用于6、8英寸晶体生长
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异型碳化硅衬底定制
异型碳化硅衬底定制

异型碳化硅衬底定制

定制尺寸：10*10mm，20*20mm ，客户定制等
厚度：350 μm 或 500 μm ，客户定制等
导电类型：半绝缘型或者N型
晶面取向：(0001) 或者 ...
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4英寸半绝缘型4H-SiC衬底
4英寸半绝缘型4H-SiC衬底

4英寸半绝缘型4H-SiC衬底

直径：(100.0 + 0.0/-0.5) mm
厚度：(500.0 ± 25.0) μm
导电类型：半绝缘
晶面取向：(0001)
应用方向：GaN等异质外延
产品类型：抛光片...
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