直径：(100.0 + 0.0/-0.5) mm
厚度：(500.0 ± 25.0) μm
导电类型：半绝缘
晶面取向：(0001)
应用方向：GaN等异质外延
产品类型：抛光片（Epi-ready）
4英寸半绝缘型4H-SiC衬底
产品规格
| 产品分级 | “P” 工业级 | “R” 研究级 | “D” 测试级 |
| 晶型 | 4H | ||
| 直径 | (100.0 + 0.0/-0.5) mm | ||
| 厚度 | (500.0 ± 25.0) μm | ||
| 导电类型 | 半绝缘 | ||
| 掺杂元素 | - | ||
| 电阻率范围 | ≥1E7 Ω.cm | ≥1E7 Ω.cm | 75% area≥1E7 Ω.cm |
| 表面粗糙度 | ≤ 0.3 nm (Si-face); ≤0.5 nm (C-face ) | ||
| 表面处理 | Double face CMP， Si face Epi-ready | ||
| X射线半峰宽 | ≤60 arcsec | ≤100 arcsec | |
| 微管密度 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤20cm-2 |
| 总厚度变化（TTV） | ≤5μm | ≤10μm | |
| 局部厚度变化（5*5mm2）（LTV） | ≤ 3μm | ≤5μm | |
| 弯曲度（Bow） | ≤15μm | ≤25μm | ≤30μm |
| 翘曲度（Warp） | ≤35μm | ≤40μm | ≤45μm |
| 表面取向 | {0001} ± 0.2° | ||
| 偏轴 | - | ||
| 主参考边取向 | // [11-20] ± 5.0° | ||
| 主参考边长度 | 32.5 mm ± 2.0mm | ||
| 副参考边取向 | Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0° | ||
| 副参考边长度 | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||
| 包装 | 单片或者25片包装 | ||
| 裂纹（强光灯观察） | 无 | 无 | 无 |
| 六方空洞（强光灯观察） | 无 | ≤100μm Qty≤6 | Cumulative area≤5% |
| 多型区（强光灯观察） | 无 | 无 | Cumulative area≤5% |
| 碳包裹物（日光灯观察） | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤3% | Cumulative area≤5% |
| 划痕（强光灯观察） | Cumulative length ≤0.5 x wafer diameter， Qty≤3 |
Cumulative length ≤1 x wafer diameter |
Cumulative length ≤1.5 x wafer diameter |
| 崩边/缺口（日光灯观察） | 无 | 2 allowed，≤1mm each | 5 allowed，≤1mm each |
| 表面沾污 （强光灯观察） | 无 | ||
| 边缘去除 | 3mm | ||