直径：(200.0± 0.2) mm
厚度：(500 ± 25) μm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
应用方向：SiC同质外延
产品类型：抛光片（Epi-ready）
8英寸导电型4H-SiC衬底
产品规格
| 产品分级 | “P” 工业级 | “D” 测试级 |
| 晶型 | 4H | 4H |
| 直径 | (200.0 ± 0.2) mm | (200.0 ± 0.2) mm |
| 厚度 | (500 ± 25) μm | (500 ± 25) μm |
| 导电类型 | n-type | n-type |
| 掺杂元素 | Nitrogen | Nitrogen |
| 电阻率范围（Ω·cm） | 0.015 – 0.028 | 0.015 – 0.028（75% area） |
| 表面粗糙度 | ≤ 0.2 nm (Si-face); ≤0.5 nm (C- face) | |
| 表面处理 | Si-face CMP, C-face optical polished | |
| X射线半峰宽 | ≤40 arcsec | ≤60 arcsec |
| 微管密度 | ≤1 cm-2 | ≤10 cm-2 |
| 总厚度变化（TTV） | ≤ 10μm | ≤ 10μm |
| 局部厚度变化（10mm2）（LTV） | ≤ 3μm | ≤ 5μm |
| 弯曲度（Bow） | ≤ 40μm | ≤ 50μm |
| 翘曲度（Warp） | ≤ 60μm | ≤ 75μm |
| 表面取向 | {0001} ± 0.2° | |
| 偏轴 | 4° toward [11-20] ± 0.5° | |
| Notch位置和取向 | Notch中心线与 [1-100]平行 ± 5.0° | |
| 包装 | 单片或者25片包装 | |
| 裂纹（强光灯观察） | 无 | 无 |
| 六方空洞（强光灯观察） | 无 | ≤100μm , Qty≤10 ea |
| 多型区（强光灯观察） | 无 | Cumulative area≤5% |
| 碳包裹物（日光灯观察） | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤3% |
| 划痕（强光灯观察） | Cumulative length ≤0.5 x wafer diameter Qty≤5 ea |
Cumulative length ≤1 x wafer diameter |
| 崩边/缺口（日光灯观察） | 无 | 2 allowed,≤1mm each |
| 表面沾污 （强光灯观察） | 无 | |
| 边缘去除 | 3mm | |