近期经过技术攻关，在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底制备方面取得突破。采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片，成功跻身于8英寸碳化硅俱乐部。

详细报道:  https://mp.weixin.qq.com/s/TmcsuzcbibC10nUDXdtwfw