春潮涌动，万象更新。2023年4月12日上午8点38分，乾晶半导体“功率器件用6/8英寸碳化硅抛光衬底研发、中试项目”于衢州市东港八路建设地块隆重举行，乾晶半导体总经理王明华、副总经理徐所成以及公司厂务部、人事行政部、单晶生产部等相关部门负责人和基地员工共同参加本次仪式，同时参加开工仪式的还有施工单位、监理单位负责人。

乾晶半导体碳化硅抛光衬底研发/中试项目，总占地面积22亩，总建筑面积约19000平方米，总投资约3亿元，计划建成碳化硅6/8英寸单晶生长和衬底加工的中试基地，是衢州市重点招商引资的“乾晶半导体（衢州）有限公司年产60万片碳化硅衬底材料项目”的第一期。此项目建设得到了衢州市智造新城管委会的大力支持，以及行业内知名投资机构的广泛关注。

开工仪式上，桩基施工单位的挖掘机、旋挖机、振动锤均启动正式进场，工地上一派热火朝天的景象。公司各部门各司其职，制定详细的项目实施计划，责任落实到位，全力保障工厂在2023年底具备设备搬入条件。开工仪式后，公司安环部负责人还对施工单位的工作人员进行了开工的安全培训工作。

乾晶半导体（衢州）有限公司项目一期的开工，标志着乾晶项目在地方政府和股东们的大力支持下，以及项目团队的共同努力下，正式从研究阶段迈入产业化阶段。乾晶半导体低成本高生长速率的碳化硅长晶技术，将为行业带来更经济的碳化硅解决方案，为电力和电动车领域的节能减排做出自己的贡献！