抛光作为SiC晶圆生产链的最后一环，其加工后的晶圆表面质量会直接影响所生产的半导体器件的性能。因此，抛光加工是SiC晶圆应用于芯片制造的非常关键的工艺步骤。然而SiC具有的极高硬度和很强的化学稳定性给SiC的无损高质量抛光带来了极大的挑战。

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去年，台湾工研院有一项新发明——“超音波&电浆辅助加工技术”，它可以将4英寸碳化硅晶圆的材料移除效率提升36倍，而且加工后的表面粗度Ra仅为1-2nm，这大幅降低了薄化设备的成本。同时，碳化硅的抛光速率也提升了5倍以上，能够将加工成本降低50%左右。

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