SiC单晶结构

       SiC单晶制备难点：> 220种晶型，最常见：3C(立方晶系)，2H、 4H和6H(六方晶系)，15R(三方晶系)；SiC没有熔点，无法用熔体提拉法进行制备；在1800℃以上开始升华，并分解成气态Si, Si₂C, SiC和固态C（主要成分）；硅碳双原子层螺旋生长机理导致生长过程容易产生晶体缺陷。

SiC晶体生长技术对比

物理气相输运法生长SiC晶体

       采用中频电源感应加热的方式来对石墨坩埚进行加热，使SiC粉末达到气化的温度（2100~2400度）；通过石墨坩埚、石墨保温层与电感线圈的相对位置，来提供晶体生长方向的温度梯度；在石墨坩埚的顶部固定碳化硅籽晶，提供晶体生长的模板；在生长方向（轴向）温度梯度的作用下，Si，SiC₂，Si₂C和SiC分别以气态从坩埚中输送到碳化硅籽晶表面，形成碳化硅晶体的生长；生长过程中，需控制好温度的梯度，以保证生长的初始阶段和中间过程都能够实现稳定的生长速率；生长的末期，还需要对晶体进行退火，以减小内部的应力。