乾晶半导体
近日,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶,这在国内尚属首次报道。该重要进展意味着,碳化硅衬底成本有望大幅降低,半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。
详情链接 https://mp.weixin.qq.com/s/KLIlMcs9rB0Xk7CpAglXcA